Колінько Сергій Олександрович

Науково-педагогічна біографія

У 1982 році закінчив фізико-математичний факультет Черкаського державного педагогічного інституту імені 300-річчя возз’єднання України з Росією.

У 1990 році захистив кандидатську дисертацію з фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 “Фізика напівпровідників і діелектриків” (назва дисертаційного дослідження: “Структурна модифікація аморфних плівок системи As-Se при напиленні методами вакуумно-термічного випаровування”, науковий керівник: канд.фіз. -мат.наук, доцент Рубіш І.Д.) в Ужгородському державному університеті.

У 1996 році отримав вчене звання доцента кафедри фізики Черкаського інженерно-технологічного інституту.
З 2001 року і до нині є доцентом кафедри фізики Черкаського державного технологічного університету.
Підвищення кваліфікації: Центральний інститут післядипломної педагогічної освіти, 2015 рік, свідоцтво про підвищення кваліфікації 12СПВ141410.

Основні дисципліни, що викладаються

Загальна фізика

Основні навчально-методичні праці

1. Прямухін В.Є., Колінько С.О. Курс фізики. Механіка. Молекулярна фізика. Навчальний посібник / Під ред. д.т.н., проф. Ващенка В.А. – К.: ТОВ «Маклаут». 2008. – 148 с.

2. ПрямухінВ.Є., КолінькоС.О. Курсфізики. Електрика. Магнетизм. Навчальний посібник / Під ред. д.т.н., проф. Ващенка В.А. – К.: ТОВ «Маклаут». 2009. – 108 с.

3.Практикум з фізики для студентів інженерних спеціальностей. Частина І. «Механіка» / Укл. В.А. Ващенко, С.О. Колінько, М.О Бондаренко. – Черкаси: ЧДТУ, 2007. – 76с.

4. Практикум з фізики для студентів інженерних спеціальностей. Частина ІІ “Молекулярна фізика”. / Укл. Ващенко В.А., Колінько С.О., Бутенко Т.І., Рудь М.П., Нетребчук Л.К. , Бондаренко М.О. – Черкаси: ЧДТУ, 2010. – 68 с.

5. Физика. Конспект лекций для слушателей подготовительного отделения факультета по работе с иностранными студентами/ Сост. Колинько С.А., Бутенко Т.И., Рева И.А.; Под ред. В.А. Ващенко. – Черкассы, ЧГТУ, 2014. – 86 с.

6. ПрямухінВ.Є., КолінькоС.О., БутенкоТ.І. Курсфізики. Оптика. Теорія відносності. Навчальний посібник / Під ред. д.т.н., проф. Ващенка В.А. – Черкаси, ЧДТУ, 2016. – 47 с.

7.Колінько С.О.Комплексна контрольна робота з дисципліни “Фізика“. Практикум для здобувачів освітнього ступеня “бакалавр” з технічних спеціальностей денної форми навчання [Електронний ресурс] /С.О. Колінько,В.А. Ващенко, Т.І. Бутенко  – Черкаси: ЧДТУ, 2018. – 100 с.

8.Фізика. Навчально-методичний посібник для самостійної роботи здобувачів освітнього ступеня “бакалавр” з технічних спеціальностей денної форми навчання [Електронний ресурс]/  [ С.О. Колінько,В.А. Ващенко, Т.І. Бутенко, В.В. Цибулін ] – Черкаси: ЧДТУ, 2018. – 45 с.

Сфера наукових інтересів

– структура аморфних тонких плівок;

– вакуумні технології отримання плівок;

 – електронна мікроскопія;
– мас-спектрометрія
– мікрорентгеноспектральний аналіз;
– методика викладання фізики у вищій школі.

Основні наукові досягнення та здобутки

Очолює науковий напрямок “Фізика тонких плівок та наноструктур на їх основі” в науковій школі прикладної фізики.
При безпосередній участі С.О. Колінька виконувалася НДР: “Отримання та дослідження зносостійких покриттів на поверхнях оптичних виробів спеціального призначення комбінованим методом термічного випаровування” (№ д/р 0110U000852, 2009-2011 роки).

Під науковим керівництвом С.О.Колінька була підготовлена та захищена дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук.

Результати науково-методичної діяльності С.О.Колінька опубліковані у 78 науково-методичних працях, в т.ч.:18 навчально-методичних праць (з яких5навчально-методичні та навчальні посібники), 18 статей у фахових виданнях (з яких 3 статті у виданнях, включених до міжнародних наукометричних баз даних),та більше 35 тез доповідей на Міжнародних та Всеукраїнських науково-практичних конференціях, 1 патент.

Педагогічна діяльність:

викладає дисципліну “Загальна фізика” студентам таких інженерних спеціальностей:
125 – Кібербезпека;

141 – Електроенергетика, електротехніка та електромеханіка;

151 – Автоматизація та комп’ютерно-інтегровані технології;

152 – Метрологія та інформаційно-вимірювальна техніка;

172 – Телекомунікації та радіотехніка.

Науково-організаційна та громадська робота:

вчений секретар кафедри фізики; голова предметної комісії з фізикиЧДТУ.

Науково-технічні досягнення

С.О.Колінька викладені у довіднику “Учені Черкаського державного технологічного університету / Під ред. М.І.Бушина, Черкаси, 2010. – 480 с.

Основні наукові здобутки

1. Вперше по всій потрійній системі Ge-Sb-Se досліджено закономірності формування структури аморфних плівок на трьох масштабних рівнях: ближній порядок (БП), проміжний порядок (ПП), наноструктура. У трикутнику Гібса системи вперше виявлено основні області, в кожній із яких реалізуються конденсати з суттєво відмінними між собою типами структури атомної сітки та аморфної матриці:
– аморфні плівки, що прилягають до вершини Ge і містять не більше 30 ат.% Sb та не більше 40 ат.% Se, основою БП мають невпорядковану трьохмірну тетраедричну атомну сітку на основі германію;
– атомна сітка аморфних плівок з концентрацією Ge від 30 до 70 ат.%, концентрацією Sb від 50 до 90 ат.% та концентрацією Se від 40 до 80 ат.% будується з багатьох видів структурних одиниць, які в різній концентрації входять в атомну сітку і по різному ув’язуються в ній;
– аморфні плівки, прилеглі до сторони GeхSb100-хв області від 0 до 30 ат.%, утворюють базову шарувату атомну сітку із атомів сурми, в якій атоми германію та селену формують локальні структурні фрагменти із просторовою топологією, відмінною від базових структурних фрагментів;
– біля сторони SexSb100-x з 50 ≤ х ≤ 90 ат.% розміщуються конденсати із шаруватою атомною сіткою на основі структурних одиниць SbSe3/2, між якими існують досить інтенсивні просторові кореляції на рівні проміжного порядку;
– аморфні плівки потрійних складів із області склоутворення із середнім першим координаційним числом ( ПКЧ ) 2,2 – 2,7 мають атомну сітку, де ув’язані структурні одиниці GeSe4/2, Ge2Se6/2, GeSe3/3, SbSe3/2, GenSe(2n+2)/2 та SbnSe(2n+1)/2 ;

– в аморфних плівках Ge-Sb-Se ізПКЧ2,0 – 2,2 атомна сітка утворюється  переважно із ланцюжків Sen тамолекул Se6– Se8 і має сильно виражений ПП;

– аморфні плівки Ge-Sb-Se з іскладами поза межами склоутворення в різних підобластях трикутника Гібса мають різну будову атомної сітки.

2. Експериментально встановлено, що у всіх аморфних плівках системи Ge-Sb-Se з області склоутворення існує ПП атомної сітки у вигляді просторових кореляцій статистичнорозподілених у просторі різних молекулярних  іквазімолекулярних структурних фрагментів. Показано, що виявлені для аморфних конденсатів системи Ge-Sb-Se закономірностіформуванняППатомноїсіткиповторюютьтенденції, характерні для напівпровідникових плівок та стеколінших халькогенідних систем: для конденсатів із ПКЧ≤ 2,4 дифракційний індикатор перший різкий дифракційний пік (ПРДП) маєдоситьвисокуінтенсивність, яка слабо залежить від хімічного складу речовини; прирості ПКЧ від 2,4 до 2,8 інтенсивність ПРДП пропорційно зменшується практично до нуля, а для зразківіз ПКЧ > 2,8 ПРДП на дифрактограмах відсутній.
3. Запропоновано гіпот ї кількості різних сполук і рівноважних та нерівноважних поліморфних кристалічних фаз; евтектичний характер подвійних фазових діаграм системи; низька симетрія та мезоскопічна будова просторових ґраток реалізованих у системі кристалічних фаз; велика кількість атомів (не менше 20), які містять елементарні комірки цих фаз. Головним зовнішнім фактором, що визначає утворення аморфних плівок по всій системі Ge-Sb-Se є мас-спектрометричний склад конденсованої пари і особливості будови її багатоатомних частинок.

4. У залежності від хімічного складу та технологічних умов отримання в аморфних плівках системи Ge-Sb-Se реалізуються два види мікроструктури: нанооднорідна та нанонеоднорідна. При нанооднорідній мікроструктурі на електронномікроскопічних зображеннях спостерігаються лише незначні варіації величини контрасту К = 2%. Для нанонеоднорідних аморфних плівок електронномікроскопічні зображення містять помітні варіації інтенсивності у вигляді своєрідної зернистості. Вперше по всій потрійній діаграмі системи Ge-Sb-Se встановлені концентраційні області формування відмічених двох видів мікроструктури. При низьких швидкостях конденсації 0,5 – 3 нм/с нанооднорідними є конденсати із складами, які розміщені біля вершин Ge та Sb трикутника Гібса. З підвищенням швидкості конденсації до 8 – 10 нм/с область нанооднорідних плівок розширюється на більшу частину потрійної діаграми за винятком складів, що знаходяться біля вершини Se трикутника Гібса.

5. Встановлені закономірності прояву, механізми формування та кількісні параметри нанонеоднорідності аморфних плівок системи Ge-Sb-Se. Виявлено, що величина контрасту наномасштабних структурних неоднорідностей в аморфних конденсатах Ge-Sb-Se може досягати 20 %, а їх розміри складають 10 – 250 нм. Експериментально показано, що малу ступінь нанонеоднорідності із контрастом К = 2 – 5 % мають зразки, зосереджені в центральній частині трикутника Гібса та в центральних частинах подвійних систем Ge-Sb, Ge-Se і Sb-Se. Середня ступінь нанонеоднорідності з К = 5 – 10% характерна для конденсатів, хімічні склади яких відповідають границям області склоутворення. Склади ж найбільш нанонеоднорідних плівок з К = 10 – 20 % розміщені в середині області склоутворення та поблизу вершини Se.

6. Експериментально вперше виявлено, що під час осадження та в післяконденсаційний період у системі Ge-Sb-Seможуть формуватися структурно однорідні, але фазовонеоднорідні аморфні плівки. Унанонеодноріднихплівкахфазоверозділенняаморфноїматрицінереалізується.

Основні наукові праці

1. Колинько С.А., Иваницкий В.П., Рубиш И.Д. Измерение плотности аморфных пленок системы As-Se // Изв. АНСССР. Неорган. Материалы– 1990, Т. 26, № 6. – С. 1329 -1330.

2. Oleg Luksha,Valentin Ivanitsky, Sergey Kolinko Structural modification of As-Se amorphous films// Journal Nanocrystalline Solids– 1991.- №136. – P. 43-52.

3. КолінькоС.О., ІваницькийВ.П.,КовтуненкоВ.С., ДубровськаГ.М. ФормуваннянаноструктуриаморфнихплівокAsxSe100-x іGexSb100-x вумовахдискретноготермічногонапилення// Укр.фіз. журн. – 2000, №9, т. 45. – С.1078-1082.

4. V. Kovtunenko, G. Dubrovskaya, S. Kolinko, V. Ivanitsky, O. Luksha. Transmission Electron Microscopy Studies the microstructure As-Se Amorphous Thin Films// Book of abstracts the Pittsburgh Conference, New Orleans, March 12-17, 2000.- P. 1962.

5. Колинько С.А., Ковтуненко В.С., Дубровская Г.Н. Состав конденсатов, образующихся при испарении в воздухе стекол системы As-Se.// Ж. «Поверхность. Рентгеновские, синхронные и нейтронные исследования», Москва. – 2001, №11, С. 49-52.

6. БутенкоТ.І., КолінькоС.О. Вивчення граничних шарів в композиційних матеріалах на основі п’єзокераміки// The International Scientific Association “Science and genesis”. http://science-genesis.com/. “Scientifik achievements 2015”. 20 Februaru 2015 in Vienna (Austria). Vol 1, P. 115-118.7. Viktor Kovtunenko. Mass-spectra of As-S glasses evaporation/Viktor Kovtunenko, Sergey Kolinko//Proceedings of the 2017 IEEE 7^th International Conference on Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2017). Zatoka, Ukraine, September 10-15, 2017. Part 2. P. 02NTF06 (1-4).(Scopus).

8. Вплив SMATобробки на структуру електроосаджених в стаціонарному, реверсному та стохастичному режимах прошарків міді/ [В.М. Тютенко, В.В. Морозович, С.О. Колінько та ін.] //Вісник Черкаського університету.- Серія: фізико-математичні науки.- 2017. –  №1. – С. 63 – 78.(Google Scholar).

Участь у конференціях

– Міжнародна конференція “Сучасні тенденції навчання фізики у загальноосвітній та вищій школі”, присвячена 100-річчю від дня народження І.В.Попова (м.Кіровоград, 2014 рік).

– Четверта міжнародна науково-практична конференція “Комплексне забезпечення якості технологічних процесів та систем” (м.Чернігів, 2014 рік).

–  Міжнародна науково-технічна конференція “Машини, обладнання і матеріали для нарощування вітчизняного видобутку та диверсифікації постачання нафти і газу” (м. Івано-Франківськ, 2016 рік).

– VІ міжнародна науково-практична конференція «Комплексне забезпечення якості технологічних процесів та систем» (м. Чернігів,2016 рік).

– Proceedings of the 2017 IEEE7^th International Conferenceon Nanomaterials: Applications & Properties (NAP-2017). Zatoka, Ukraine, September10-15, 2017. Part2. P. 02NTF06 (1-4).

– International meeting «Clusters and nanostructured materials» (CNM-5). – Uzhgorod, Vodograj, Ukraine. – 22-26 october, 2018.

Перелік нагород та заохочень

 – Почесна грамота управління освіти виконкому Черкаської міської ради.

 – Грамота департаменту освіти та гуманітарної політики виконавчого комітету Черкаської міської ради.

 – Почесна грамота головного управління освіти і науки Черкаської облдержадміністрації.

 – Подяка голови Черкаської обласної державної адміністрації.

 – Подяка міністерства освіти і науки України.